Advanced topics in LED technology

Part 1. LED 주요 기술 1. LED 기술 개요 1-1. 왜 LED 인가? 1-2. LED 역사 1-3. LED 효율향상 1-3-1. 내부양자효율 (internal quantum efficiency) 1-3-2. 광추출효율 (light extraction efficiency) 1-3-3. 열 및 전기전도도 (thermal and electrical conductivity) 2. 나노구조를 이용한 LED 광추출효율 (light extraction efficiency) 향상 2-1. LED 광추출효율 (light extraction efficiency) 향상 기술의 개요 2-2. 표면 텍스쳐링 (Surface texturing) 기술이 적용된 LED 2-3. Patterned sapphire substrate (PSS) 기술이 적용된 LED 2-4. 1차원 나노구조체가 적용된 LED 2-5. 광결정(Photonic crystal)이 적용된 LED 2-6. 자연 모사 계층형(hierarchical) 구조를 갖는 LED 3. 표면 플라즈몬을 이용한 발광 다이오드 3-1. 표면 플라즈몬의 역사와 기초 3-1-1. 표면 플라즈몬의 분산관계 (dispersion relation) 3-1-2. 표면 플라즈몬의 전파 길이 와 침투 깊이 3-1-3. 표면 플라즈몬의 광학적 여기 3-2 발광다이오드에서의 플라즈몬 응용 3-2-1. 표면 플라즈몬에 의한 내부양자 효율 향상 3-2-2. 표면 플라즈몬에 의한 광추출 효율 증가 3-3. 맺음말 4. 양자점 발광다이오드 4-1. 양자점의 정의 4-2. 콜로이드 양자점 기반 발광다이오드 및 차세대 디스플레이로의 활용 4-2-1. 콜로이드 양자점 제작 방법 4-2-2. 양자점 디스플레이의 장점 및 분류 4-2-3. 자발광 디스플레이 활용을 위한 양자점 발광다이오드 제작 기술 4-2-3-1 효율적인 캐리어 전달층 제작 기술 4-2-3-2 우수한 양자효율을 갖는 양자점 제작 기술 -2-3-3 소자 수명 향상 기술 4-3. 디스플레이 제작을 위한 패터닝 기술 4-3-1. 잉크젯 프린팅 (inkjet printing) 4-3-2. 전사 프린팅 (transfer printing) 4-4. 에피택셜(epitaxial) 양자점 기반 발광다이오드 4-4-1. 에피택셜 양자점 제작 방법 4-4-2. InGaN 양자점 발광다이오드 4-4-3. Si 양자점 발광다이오드 4-5. 맺음말 5. 자외선(ultraviolet) 발광다이오드 5-1. 자외선 발광다이오드 기술의 소개 5-1-1. 자외선이란? 5-1-2. 자외선 램프와 자외선 발광다이오드의 차이 5-1-3. 자외선 발광다이오드의 응용분야 및 전망 5-2. 자외선 발광다이오드의 현재 기술 수준 5-2-1. 자외선 발광다이오드의 디바이스 성능 지표 5-2-2. 내부양자효율 5-2-3. 전류주입효율 5-2-4. 광추출효율 5-2-5. 열적효율 5-2-6. 나노와이어 기반 자외선 발광다이오드 6. Efficiency droop의 발생 원인 및 개선 방향 6-1. Efficiency droop이란? 6-2. 방사 재결합과 비방사 재결합 6-2-1. 방사 재결함 6-2-2. 비방사 재결합 6-3. Efficiency droop 발생의 원인 6-3-1 결함 (defect) 6-3-2 Auger 재결합 6-3-3 Piezoelectric polarization 6-3-3-1 전자누설 (electron leakage) 6-3-3-2 정공 주입 문제 (poor hole injection) 6-3-4 운반자의 비국재화 (carrier delocalization) 6-4 Efficiency droop의 개선 방법 6-4-1 Polarization matched growth (non-polar, semi-polar) 6-4-2 양자우물에서 운반자 농도의 감소 (reduction of carrier density in quantum well) 6-4-3 전자 구속의 향상 (Improvement of electron confinement) 6-4-4 정공 주입의 향상 (Improvement of hole injection) 6-5 결론 7. 마이크로 LED 7-1. 마이크로 LED란? 7-2. 마이크로 LED 관련 기술 7-2-1. 마이크로 LED 광원 제조 기술 7-2-2. 마이크로 LED 전사기술 7-3. 마이크로 LED 응용기술 7-3-1. 디스플레이 7-3-2. 의료/바이오 7-3-3. 자동차 7-3-4. 광통신 7-3-5. 웨어러블 기기 Part 2. 탐색적 LED 기술 8. 자기장과 발광다이오드 8-1. 자기장에 의한 전하 거동의 변화 8-1-1. 외부 자기장이 전하 거동에 미치는 영향 8-1-2. 외부 자기장이 양자우물에 미치는 영향 8-1-3. 자기장 기울기가 양자우물에 미치는 영향 8-1-4. 자기장이 유기 발광다이오드에 미치는 영향 8-2. 자기장 기울기가 무기 발광다이오드에 미치는 영향 8-3. Micro-LED display의 구현을 위한 자기구조체 LED 9. 파장 가변 LED 기술 및 응용 9-1. 파장 가변 LED 제작 방법 9-1-1. 온도변화를 이용한 LED 파장 가변 9-1-2. 다면체 구조 LED에서 전류변화를 통한 LED 파장 가변 9-1-3. 스트레인을 이용한 LED 파장 가변 9-1-3-1 압전기판을 이용한 LED 파장 가변 9-1-3-2. Bending을 이용한 파장 가변 9-2. 파장 가변 LED의 응용 9-2-1. 의료용 파장가변 LED 9-2-1-1. 광 치료의 기원 9-2-1-2. LED를 이용한 광 치료 9-2-1-3. LED의 파장에 따른 피부치료 효과 9-2-1-4. 의료용 파장 가변 LED 제품의 필요성 9-2-2. LED를 이용한 가시광 통신 9-2-2-1. 가시광통신에서의 파장 가변 LED 9-2-3. 의료영상 optical coherence tomography (OCT) 9-2-3-1. 파장 가변 LED를 이용한 의료영상 OCT 10. Nanoporous GaN를 이용한 LED 효율 향상 10-1. 서론 10-2. 다공성 질화갈륨 (nanoporous GaN) 10-2-1. 다공성 물질 10-2-2. Nanoporous GaN 10-3. Nanoporous GaN을 이용한 LED 10-3-1. 기판제거 기술 10-3-2. 외부양자 효율 향상 기술 10-3-3. Nanoporous GaN buffer layer in GaN on Si system 10-3-4. Distributed Bragg Reflector 10-4. 맺음말 11. ZnO기반 LED 11-1 ZnO LED의 개요 11-1-1. ZnO LED의 장점 11-1-2. ZnO 발광다이오드 기술의 현황 11-2. ZnO LED의 성능향상에 대한 이론적 분석 및 예측 11-2-1. 결함 밀도의 영향 11-2-2. 다중양자우물(multiple quantum well)의 합금 함량의 영향 11-2-3. 정공 농도 및 이동도의 영향 11-2-4. 기판 극성의 영향 11-2-5. ZnO LED의 광추출 효율의 영향 11-2-6 ZnO LED의 전망

출처: 국립중앙도서관 서지정보